PDF

Datasheet на микросхему EEPROM AT24C32

Datasheet EEPROM AT24C32/64: энергонезависимая память 32/64 Кбит (4096/8192 × 8 бит), интерфейс I²C (100/400 кГц), страничная запись 32 байта, напряжение 1.8–5.5 В, ресурс 1 млн циклов.

Описание

Техническая документация на микросхемы энергонезависимой памяти AT24C32 (32 Кбит, 4096×8) и AT24C64 (64 Кбит, 8192×8) с интерфейсом I²C. Описывает организацию памяти, режимы записи и чтения, электрические характеристики и временны́е диаграммы.

Что внутри PDF

  • Организация памяти: AT24C32 — 256 страниц по 32 байта, AT24C64 — 512 страниц по 32 байта
  • Напряжение питания 1.8–5.5 В (версии 1.8V, 2.5V, 2.7V), частота I²C до 100 кГц (1.8 В) или 400 кГц (5 В)
  • Режимы записи: побайтовая и постраничная (до 32 байт за цикл), время внутреннего цикла записи ≤10 мс
  • Режимы чтения: текущий адрес, случайный адрес, последовательное чтение с автоинкрементом адреса
  • Защита данных: вывод WP блокирует запись в верхнюю четверть памяти (8/16 Кбит) при подаче VCC
  • Надёжность: 1 миллион циклов перезаписи, сохранение данных 100 лет, встроенная защита от помех на SDA/SCL

Где пригодится

  • Хранение настроек, калибровочных коэффициентов или логов в устройствах на батарейном питании
  • Энергонезависимое сохранение состояния системы для восстановления после сбоя питания
  • Каскадирование до 8 микросхем на одной шине I²C для увеличения объёма памяти
  • Применение в автомобильной электронике и промышленных системах с расширенным температурным диапазоном

На что обратить внимание

  • При постраничной записи адрес автоматически «заворачивается» внутри страницы; запись >32 байт перезапишет начало той же страницы
  • После команды STOP начинается внутренний цикл записи (≤10 мс), в это время микросхема не отвечает на обращения
  • Используйте acknowledge polling (опрос готовности) для определения завершения записи перед следующей операцией
  • Выводы A0–A2 имеют внутреннюю подтяжку к GND; если оставить их неподключёнными, адрес устройства будет 0b000