Описание
Техническая документация P-канального MOSFET IRF9Z24N с максимальным током стока −12 А и напряжением сток-исток −55 В. Транзистор выполнен по технологии HEXFET пятого поколения с низким сопротивлением открытого канала 0.175 Ом в корпусе TO-220AB.
Что внутри PDF
- Предельные параметры: непрерывный ток −12 А при 25°C, импульсный −48 А, рассеиваемая мощность 45 Вт
- Электрические характеристики: пороговое напряжение −2..−4 В, заряд затвора 19 нКл, время переключения 13/55/23/37 нс
- Параметры встроенного диода: прямое напряжение −1.6 В, время восстановления 47 нс, заряд восстановления 84 нКл
- Графики выходных и передаточных характеристик при 25°C и 175°C, зависимость сопротивления от температуры
- Область безопасной работы (SOA) для одиночных импульсов длительностью от 10 мкс до 10 мс
- Тепловое сопротивление переход-корпус 3.3 °C/Вт, методика расчёта теплового режима
Где пригодится
- Высокоэффективные линейные стабилизаторы с управлением по верхнему плечу
- Пост-регуляторы для импульсных источников питания с P-канальным ключом
- Схемы защиты от переполюсовки и управления нагрузкой с отрицательной логикой
- Зарядные устройства и системы управления питанием в портативной технике
На что обратить внимание
- P-канальный транзистор требует отрицательного напряжения затвор-исток для открытия (VGS = −10 В)
- Максимальный ток снижается до −8.5 А при температуре корпуса 100°C
- Энергия лавинного пробоя ограничена 96 мДж для одиночного импульса
- При монтаже момент затяжки винта не должен превышать 1.1 Н·м